半導體器件內部易燃性試驗

半導體器件內部易燃性試驗

中科檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備內部易燃性試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的內部易燃性試驗服務。
我們的服務 專項服務 半導體器件內部易燃性試驗

半導體器件內部易燃性試驗 試驗背景

半導體器件內部易燃性試驗的目的是確定器件是否由于過負荷引起內部發熱而燃燒。
中科檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備內部易燃性試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的內部易燃性試驗服務。

半導體器件內部易燃性試驗 試驗方式

器件應不帶散熱片在大氣中工作，并使其內部電功率耗散從最大額定值緩慢增加，直至出現下列任一狀態：
a）內 部功率達到25°C時的最大額定功耗的5倍，在這種情況下，該功率應至少保持1 min；
b）器件開路、短路或者器件的阻值上升以致不能再進--步增加功耗的程度；
c）器件燃燒。
只有器件冒煙或燃燒時，才看作器件失效。

半導體器件內部易燃性試驗 試驗標準

GB/T 4937.31 半導體器件機械和氣候試驗方法 第31部分：塑封器件的易燃性（內部引起的）
IEC 60749- 31： 2003半導體器件機械和氣候試驗方法 第31部分：塑封器件的易燃性（內部引起的）
GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分：總則