半導體器件低氣壓試驗

半導體器件低氣壓試驗

中科檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備低氣壓試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的低氣壓試驗服務。
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半導體器件低氣壓試驗 試驗背景

半導體器件低氣壓試驗目的是測定元器件和材料避免電擊穿失效的能力，而這種失效是由于氣壓減小時，空氣和其他絕緣材料的絕緣強度減弱所造成的。半導體器件低氣壓試驗僅適用于工作電壓超過1 000 V的器件。
中科檢測環境可靠性實驗中心擁有各種半導體器件機械和氣候試驗設備，具備低氣壓試驗能力，為半導體器件、設備提供專業的低氣壓試驗服務。

半導體器件低氣壓試驗 試驗方式

樣品應按規定放置在密封室內，并按規定把氣壓減小到某個試驗條件。把樣品保持在規定的氣壓下，對它們進行規定的試驗。 在試驗期間及試驗前的20 min內，試驗溫度應為25C±10C。
對器件施加規定的電壓，在從常壓到規定的最低氣壓并恢復到常壓的整個過程中監測器件是否出現故障。

半導體器件低氣壓試驗 試驗標準

GB/T 4937.1-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第1部分：總則
GB/T 4937.2-2006 半導體器件機械和氣候試驗方法 第2部分：低氣壓
IEC 60068-2-13環境試驗第2 部分：試驗M：低氣壓